Поэтому, если на подложке формируются несколько ПТИК, то их взаимным влиянием можно пренебречь при расстоянии между транзисторами большем, чем толщина высокоомного слоя объемного заряда. Большая толщина диэлектрика под токопроводящими дорожками вне электродных областей истока, стока и затвора гарантирует отсутствие проводящих каналов т. при этом повышается пороговое напряж е ние под этими проводящими дорожками. Качественный анализ работы МДП- транзисторов Определим потенциал на поверхности полупроводника, при котором плотность заряда свободных дырок полупроводника превышает плотность заряда свободных электронов и ионизированных атомов примеси. равновесные концентрации электронов и дырок связаны с собственной концентрацией, уровнем Ферми и поверхностным потенциалом. значит заметная проводимость между стоком и истоком появляется при напряжении на затворе, превышающем сумму контактной разности потенциалов на МДП структуре мдп, напряжения, соответствующего эффективному заряду поверхностных состо я ний, и напряжения на границе между диэлектриком и полупроводником, когда пло т ность подвижных дырок превышает плотность электронов и ионизированных атомов донорной примеси.

Дальнейшее изменение напряжения на затворе приводит к увеличению напряжения на слое диэлектрика, а напряжение на слое объемного заряда в подложке остается практически неизме н ным. Падение напряжения на слое ОПЗ можно изменить прикладывая напряжение к электроду подложки относительно истока.

Положительное напряжение, приложенное к подложке, увеличивает проводимость канала. делит ВАХ ПТ на две области - крутую и пологую зависимости тока стока от напряжения сток-исток. Уравнения для описания ВАХ МДП-транзистора В стационарном состоянии полный заряд в МДП-структуре, приходящийся на единицу площади, должен равняться нулю.